Questão
Universidade Estadual de Londrina - UEL
2013
1ª Fase
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Na década de 1950, Jack Kilby e Robert Noyce criaram um dispositivo capaz de conter milhões de transistores por mm², produzindo transformações na eletrônica. Um dos processos utilizados para a fabricação de circuitos integrados à base de SiO₂ fundamenta-se na reação de Si com O₂ com emprego de temperaturas que variam de 1000 a 1200°C, quando um rendimento ótimo é atingido. O filme de SiO₂ pode ser obtido expondo o silício a alta temperatura em um ambiente contendo oxigênio de alta pureza ou usando-se vapor de água.

Com base no exposto, assinale a alternativa correta.
A
Na equação química Si₍ₛ₎ + 2H₂O₍ց₎ → SiO₂₍ₛ₎ + 2H₂₍ց₎, utilizando vapor de água, o silício é reduzido, o hidrogênio é reduzido e o número de oxidação do oxigênio é aumentado.
B
Na equação química Si₍ₛ₎ + O₂₍ց₎ → SiO₂₍ₛ₎, utilizando oxigênio de alta pureza, o número de oxidação do silício é aumentado.
C
O filme de SiO₂ formado em ambiente contendo vapor de água é menos poroso devido à evolução de gás H₂₍ց₎ como produto da reação.
D
O rendimento da reação de oxidação térmica representada por Si₍ₛ₎+O₂₍ց₎ → SiO₂₍ₛ₎ independe da temperatura e do tempo de aplicação do fluxo de O₂₍ց₎.
E
O rendimento da reação de oxidação térmica representada por Si₍ₛ₎+O₂₍ց₎→SiO₂₍ₛ₎ poderá ser aumentado pela inserção de agentes redutores no ambiente reacional.